RTP-SA-8產品介紹
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RTP-SA-8是在保護氣氛下的半自動立式快速退火系統，以紅外可見光加熱單片Wafer 或樣品，工藝時間短，控溫精度高，適用 4-12 英寸晶片。相對于傳統擴散爐退火系統和其他RTP 系統，其獨特的腔體設計、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟件控制系統，確保了極好的熱均勻性。
產品特點?
▲紅外鹵素燈管加熱，冷卻采用風冷;
▲燈管功率 PID 控溫，可精準控制溫度升溫，保證良好的重現性與溫度均勻性;
▲采用平行氣路進氣方式，氣體的進入口設置在 Wafer 表面，避免退火過程中冷點產生，保證產品良好的溫度均勻性;
▲大氣與真空處理方式均可選擇，進氣前氣體凈化處理;
▲標配兩組工藝氣體，最多可擴展至6組工藝氣體:
▲可測單晶片樣品的最大尺寸為12英寸(300x300mm);
▲采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施，全方位保障儀器使用安全。
應用行業
A、氧化物、氮化物生長
B、硅化物合金退火
C、砷化鎵工藝
D、歐姆接觸快速合金
E、氧化回流
F、其他快速熱處理工藝
基本配置
| 項目 | 指標 |
| 最大產品尺寸 | 4-12 英寸晶圓或者最大支持 300x300mm產品，兼容 12寸及以下晶圓 |
| 溫度范圍 | 室溫~1250℃ |
| 最高升溫速度 | 100℃/s可編程(此溫度為不含載盤的升溫速度)25℃/s(SiC載盤) |
| 溫度均勻度 | <500℃時溫度均勻性:±1℃>500℃時溫度均勻性:±1% |
| 溫度控制重復性 | ±1℃ |
| 溫控方式 | 快速 PID 溫控 |
| 整體設計 | 可配置大氣常壓腔體或者真空腔體 |
| 襯底冷卻方式 | 氮氣吹掃 |
| 工藝氣體 | MFC控制，四路氣體(N2/O2/GN2/H?) |
| 控制方式 | 工業電腦+PC control |
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